财通证券：景气上行叠加工艺通胀 半导体国产替代加速兑现

　　财通证券（601108）发布研报称，半导体材料板块正在同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。先进逻辑的落地、3DNAND的迭代、HBM与先进封装并非只带来材料用量提升，特别是在CMP、靶材、光刻胶、刻蚀液、清洗液等环节形成规格升级和价格抬升的复合通胀，相关材料将展现出强于行业平均的增长弹性。建议关注卡位需求通胀以及对日替代关键逻辑的重要半导体材料公司。

　　财通证券主要观点如下：

　　AI算力、数据中心和智能终端持续放量，正在推动全球半导体景气进入上行阶段，并直接带动晶圆厂资本开支水平与稼动率维持高位

　　在这一背景下，半导体材料因具备消耗和复购属性而成为产能落地后的终局受益品种。更进一步，在先进逻辑、HBM、3DNAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类并非简单跟随晶圆片数增长，而是呈现单片用量上升、品类数增加、或价格抬升的复合通胀，因此在行业景气上行阶段，部分产业链环节呈现更强的增长弹性和业绩落地确定性。除此之外，当前在晶圆厂扩产、叠加供应链安全重估及对日替代预期强化背景下，下游fab对本土材料导入意愿明显增强，部分材料的验证节奏和国产化率正加快抬升，半导体材料板块正在同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。

　　半导体材料关键品类正呈现出先进工艺需求“通胀”属性，高度受益于此轮景气上行

　　首先，CMP抛光材料在逻辑芯片从250nm缩至7nm时，抛光步骤增至30次，抛光液种类从5种增至20余种;存储芯片从2DNAND到3DNAND，CMP步骤近乎翻倍。靶材同样是典型“通胀型”耗材，3DNAND从128层升至232层以上时单片晶圆消耗量增加超40%，HBM单颗芯片铜靶用量达传统芯片3倍以上。光刻胶方面，7nm及以下多重曝光使单位晶圆消耗量显著增。刻蚀液方面，从65nm到7nm刻蚀步骤激增超300%。清洗液方面，从80-60nm到20-10nm清洗步骤从100步增至200步以上。因此，先进逻辑的落地、3DNAND的迭代、HBM与先进封装并非只带来材料用量提升，特别是在CMP、靶材、光刻胶、刻蚀液、清洗液等环节形成规格升级和价格抬升的复合通胀，相关材料将展现出强于行业平均的增长弹性。

　　半导体材料国产替代正在从长期逻辑走向加速兑现

　　目前，我国半导体材料整体国产化率仅为15%，高端领域仍高度依赖进口。其中，光刻胶的国产化落地最为迫切，日本JSR、TOK等五家企业垄断全球约95%份额，我国当前KrF光刻胶国产化率仅约3%，ArF不足1%，EUV几乎为零，若高端光刻胶纳入出口管制，供应链中断风险将急剧放大，国内光刻胶产业链迎来明确的替代窗口。湿电子化学品方向，高端刻蚀液市场仍高度集中于海外厂商，叠加上游含氟电子特气供给受限和出口管控趋严，国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业有望迎来导入提速。CMP材料和靶材方面，政策支持、下游扩产和供应链安全重估，正在提高fab对本土材料的导入意愿。近期，中国对钨实施出口管制后，全球六氟化钨供应链趋紧，日本钨靶龙头的出货能力受限，进一步为国内高纯靶材企业打开份额提升窗口。

　　风险提示：技术与良率/爬坡风险，需求不及预期风险，地缘与贸易摩擦。