西南证券：需求爆发&供给刚性 存储超级成长周期

　　西南证券发布研报称，在全球存储行业高歌猛进的大背景下，国内存储企业依托工程师红利，完善的基建设施，齐全的产业链配套等优势，正以惊人速度崛起。本土企业依托自主架构创新与工艺迭代，产能持续扩张、良率稳步提升，在AI算力、消费电子、企业级市场全面突破，推动中国存储从规模增长转向技术引领。

　　西南证券主要观点如下：

　　需求爆发&供给刚性，价格持续上涨，存储迎来超级周期

　　1)AI大模型技术超预期迭代升级，全球Token消耗量爆发式增长，由此带来海量的数据存储、处理和检索需求，存储行业迎来超级景气周期。2)海外三大原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对消费级和低端存储芯片产能造成严重挤压，供需缺口扩大。3)存储原厂在上轮周期产能和资本开支过度后，本轮周期扩产动作均较为谨慎;且高端HBM存储芯片存在洁净室建设周期长，良率爬坡困难等问题，短期供给持续偏紧。在需求爆发&供给刚性的背景下，据CFM闪存市场预计，2026年存储价格整体仍将延续上涨。

　　需求端

　　本轮超级周期的根本原因在于，AI大模型技术超预期迭代升级，带来海量的数据存储、处理和检索需求。1)得益于生成式AI的快速迭代，AI agent、多模态应用与原生视频技术等新应用爆发式增长，由此带来海量数据（603138）的存储、处理和检索需求，直接推高了对HBM、DRAM、NAND等存储介质的需求，开启一轮存储超级需求周期。2)根据Open Router，2026年2月同期全球主要大模型消耗的token是25年同期的10倍及以上，彰显出极其旺盛的算力及存储需求。3)预计2026年八大CSP厂商，资本开支将增长25%至约5000亿美元，延续高强度算力基建投入。

　　供给端

　　产能挤压&扩产谨慎，短期供给刚性。1)存储原厂多为IDM模式，资本开支巨大，存储厂在上轮周期产能和资本开支过度后，对本轮周期扩产指引均较为谨慎。2)原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对低端存储芯片产能造成严重挤压。3)高端HBM技术壁垒高&良率低，且当前洁净室建设周期长，建设周期(8–12个月)远跟不上AI/HBM需求爆发。4)目前三大原厂库存水平仅为3-5周，处在历史极低水平，供给极其紧张。

　　风险提示

　　AI发展不及预期风险;存储价格下行风险;研发进展不及预期风险。