德银深度研究：2026年科技硬件行业七大核心主题与投资机会

　　在德银看来，2026年依然是科技硬件的投资大年。

　　德银近期发布了一份深度研究报告，全面梳理了2026年科技硬件行业(涵盖半导体、电信设备、IT硬件)的七大核心主题。这些主题将成为未来一年投资圈关注的焦点。

　　一起来看一下七大主题的深度解析。

　　01

　　严重内存短缺推动半导体设备标的重估

　　过去三个月，DRAM现货价格飙升300%-400%(达原来的4-5倍)，凸显了当前严重的内存短缺局面。按具体型号来看，DDR4现货价格为每GB17美元，DDR5现货价格为每GB13-14美元。

　　合约价格涨幅相对温和(例如Trendforce预测2025年第四季度PC DRAM合约价格环比上涨25%-30%，服务器DRAM合约价格环比上涨43%-48%)。此外，随着分销商库存耗尽，多数机构预计2026年上半年内存价格将至少再上涨30%-50%。

　　NAND闪存市场呈现类似趋势，供应有限推动现货价格大幅上涨——核心基准产品过去三个月价格上涨200%。NAND闪存合约价格同样快速攀升，Trendforce数据显示，11月晶圆级NAND合约价格环比上涨20%-60%，基准512Gb TLC合约价格环比涨幅超65%，供应商已具备“显著定价权”。预计2026年第一季度NAND闪存价格将继续实现两位数涨幅。

　　就晶圆厂设备支出预期的影响而言，尽管短期受HBM相关产能扩张的洁净室供应有限，或NAND闪存领域投资意愿不足等因素制约，但内存领域有望推动2027/2028年晶圆厂设备支出预期显著上调。

　　德银认为，此次内存短缺的严重程度可能成为IT硬件领域的“头条新闻”，这意味着投资者将愿意持有半导体设备标的，等待估值突破机会。即便考虑到主流品类可能下调配置以缓解短缺，短缺局面仍可能持续至2027年，这一可能性进一步强化了上述预期。

　　具体而言，像ASML这类标的，其2027年预期市盈率当前为25-30倍，未来有望突破至35倍(与我们上调后的目标价一致)。尽管这一估值水平高于正常区间，但需注意的是，尽管ASML在毛利率方面具备显著优势(低数值孔径极紫外光刻机毛利率及吞吐量驱动)，但其当前相对其他五大半导体设备巨头的估值溢价处于10年区间底部，仅约20%。

　　2026年市场影响：2027-2028年DRAM晶圆厂设备支出大幅增长的最敏感标的无疑是ASML、VAT集团与SUSS MicroTec。若2027年起NAND闪存晶圆厂设备支出复苏，将对Comet尤为有利。ASM国际此前已显著跑输，在经历估值调整后，其表现有望与ASML保持一致。

　　02

　　 AI投入挤占非AI领域组件供应

　　内存、被动元件及光学组件可能面临供应挑战，并将在2026年对主流电子产品生产产生连锁影响。此外，硬盘驱动器等领域也存在短缺问题。最可能受负面影响的品类包括消费电子、智能手机、个人电脑及汽车电子产品。

　　供应链中最脆弱的环节是智能手机、消费电子、PC领域的中低端原始设备制造商——这些厂商议价能力较弱，且往往依赖分销渠道。

　　鉴于内存成本上涨，这些厂商可能要求无晶圆厂企业提供更大幅度的价格让步，这也可能对无晶圆厂企业产生连锁影响。短期内最可能出现的结果是厂商转向更低内存配置，另一种可能则是产品发布直接延迟。

　　相比之下，汽车电子领域受到的相对影响较小，因为供应商通常会为汽车级产品维持独立的生产线，以满足可靠性规格要求。

　　03

　　光学领域在AI数据中心持续发力

　　AI数据中心的投入推动了带宽需求飙升，数据中心内部及数据中心之间的流量呈爆炸式增长。

　　目前，大多数AI数据中心采用以太网或InfiniBand协议，搭配可插拔光学器件。但随着技术发展，数据中心正逐步向更高速度的可插拔光学器件、线性可插拔光学器件(LPO)演进，未来将实现数据中心内部的共封装光学器件(CPO)，并搭配更广泛的相干链路。

　　LPO以可插拔模块形式实现，但采用线性驱动器替代完整的数字信号处理器，可降低功耗与延迟。

　　在CPO架构下，光学引擎紧邻交换机/xPU，这一设计更有利于硅光子集成芯片(SiPho PIC)。在此过程中，随着光学器件替代高速电气通道，且更多光学通道集成封装，光学组件的含量将大幅提升。

　　04

　　测试领域持续升温

　　作为英伟达等企业的核心探针卡供应商Technoprobe(市场份额约100%)，测试领域正经历由芯片复杂度提升与失效成本上升驱动的结构性转型。

　　简而言之，随着AI加速器封装成本日益高昂，且每个封装集成的芯粒数量不断增加，叠加良率动态的复合效应，报废成本呈指数级增长。这为测试预算提供了结构性支撑，英伟达等客户正积极扩大测试覆盖范围，为此前因成本过高而受限、旨在提升测试质量并降低漏检率(假阳性/假阴性)的测试方案创造了更有利的应用环境。

　　德银预计这一趋势将在2026年进一步强化：台积电计划2022-2026年期间将其“AI测试产能”以80%的复合年增长率扩张，同时外包半导体封测厂商也计划在2026年大幅扩充产能，以缓解当前的产能瓶颈。

　　先进封装领域，台积电与外包半导体封测厂商持续投入2.5D CoWoS产能扩张；在技术可行的情况下，行业对从2.5D向3D封装转型的需求强烈。

　　总体而言，2026年苹果将首次采用台积电的3D封装方案，应用于高端笔记本电脑，且可能实现CPU与GPU模块的分离设计，这将充分体现3D封装在逻辑芯片领域的应用机遇。

　　然而，2026-2027年期间更大的市场机遇仍来自DRAM领域：HBM4E与HBM5有望从热压键合转向无焊剂热压键合，或转向晶圆对晶圆混合键合工艺，以实现16层及以上的堆叠。

　　与此同时，随着英特尔推出背侧供电技术，晶圆对晶圆混合键合趋势将进一步加速。

　　05

　　氮化镓乐观预期

　　英伟达推动AI数据中心向800V架构转型是一项重大举措，需要供应链各方的协同努力——这一转型同时涉及电网接口设备、功率半导体、磁性元件、冷却系统和机架结构等多个领域。

　　当前48V架构在传输过程中存在电流过大问题，导致严重的功率损耗和铜缆使用量过高，因此向800V架构转型势在必行。

　　英伟达对AI数据中心的推动正为氮化镓创造发展动力，这堪比碳化硅在特斯拉身上的应用时刻。

　　AI处理器功耗预计将从2023年的7GW增长至2030年的70GW以上，这一10倍的增长将为能够解决这些重大功率问题的供应商创造商业机遇。随着向800V架构转型，工作电压15倍的提升将提高能效，同时使机架功率达到1MW或更高。

　　这将推动功率半导体市场规模扩张——每GW供电对应的功率半导体含量将达到3000-5000万美元，到2030年氮化镓和碳化硅市场规模有望达到26亿美元。

　　06

　　边缘AI主题取得适度进展

　　边缘AI指在终端用户设备上本地进行轻量级AI处理，或卸载至本地边缘节点(网关)，而非依赖云端进行重型AI处理的模式。其核心优势包括保护隐私、降低延迟，同时具备节省数据中心投入的潜力。

　　多家企业表示，边缘AI已进入加速增长阶段，尽管目前基数较低。例如，AMD在其投资者日活动中指出，“边缘AI爆发”“现已开启”；但该公司随后也承认，边缘解决方案“仍处于应用初期阶段”，尽管市场关注度较高，但目前仍处于“试验阶段”。长期以来，市场一直被告知边缘概念将成为下一个重大机遇，因此投资者对此持怀疑态度也在情理之中。

　　安霸表示，其定义的“边缘AI”(即其芯片参与设备端AI处理的市场)将在2025年占其总收入的80%，涵盖汽车高级驾驶辅助系统、视频监控、机器人和智能城市等应用领域。

　　工业领域，罗克韦尔自动化近期推出了基于英伟达Nemotron Nano的解决方案——这是一款专为罗克韦尔产品工作流程优化的小型语言模型。

　　罗克韦尔通过利用开源模型和英伟达Nemo平台，为工业环境提供基于边缘的生成式AI能力。

　　07

　　中国半导体本土化进程实质性转折

　　根据德银专家访谈反馈，中国在成熟制程半导体以及约半数晶圆厂设备支出相关领域的能力已出现明显转折。

　　目前的变化体现在两个层面：一是中国原始设备制造商与集成器件制造商/晶圆代工厂面临更大的本土采购压力；二是中国本土供应商在规模与质量上满足这些客户需求的能力显著提升。

　　德银认为，2026年可能成为一个关键年份——市场将更清晰地认识到，西方企业无论在半导体还是半导体设备领域，其在中国市场的潜在市场规模可能面临萎缩。

　　换言之，中国企业此前“低端市场渗透”的叙事可能升级为“中端市场渗透”。这将迫使西方企业选择相应的应对策略，具体策略可能因产品而异。

　　包括：

　　一、加大创新投入

　　二、收缩业务

　　三、战略合作

　　四、被动承受

　　众多中国半导体企业计划在香港上市的消息进一步加剧了这一担忧。

　　2025年6月以来，韦尔股份、通富微电（002156）、圣邦股份（300661）、中芯国际和纳芯微等企业已提交招股说明书，彰显了这些企业对自身市场份额提升能力的信心。此前在2024年已出现一波上市潮，包括英诺赛科和地平线等重要企业完成上市。

　　半导体领域，德银预计部分品类(如功率模块、碳化硅、传感器、低端微控制单元)的竞争可能过于激烈，导致部分西方企业选择退出。

　　幸运的是，这些领域积累的产能大多可转向AI数据中心相关应用。半导体设备领域，预计中国本土企业将在更多细分领域形成实质性竞争：例如ASM国际在原子层沉积设备领域将面临先导集团、中微公司和华峰测控的竞争；此外，华海清科有望在中国晶圆对晶圆混合键合设备领域获得更多关注。