存储涨价与半导体国产化双轮驱动，科创芯片设计ETF易方达标的指数涨超3%
2026-04-13 11:28:37来源：同花顺编辑：李川峰
扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注豌豆财经网微信公众号
截至10:07，上证科创板芯片设计主题指数上涨3.1%，成份股中，海光信息涨超9%，芯朋微、盛科通信-U涨超7%，澜起科技涨超5%。
消息面上，2026年一季度存储芯片价格涨幅远超预期，常规DRAM合约价涨幅从年初预估的55%至60%，一路上调至90%至95%；NAND Flash合约价涨幅也从33%至38%上调至55%至60%。进入二季度，集邦咨询预计DRAM合约价将环比上涨58%至63%，NAND涨势则进一步扩大。
此外，半导体产业整体正进入“量价齐升”的景气周期。AI服务器对高带宽存储需求激增，半导体国产化进程提速，龙头公司一季度营收同比大增，在存储涨价和国产化双轮驱动下，芯片设计企业盈利预期持续上修。
上证科创板芯片设计主题指数聚焦芯片设计领域，数字芯片设计行业占比超75%，模拟芯片设计行业占比近20%，前十大权重股包括澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪等产业链核心标的。投资者可通过科创芯片设计ETF易方达(589030)一键布局芯片产业投资机遇。
投稿邮箱：lukejiwang@163.com 详情访问豌豆财经网：http://www.wdyxw.com.cn
相关推荐
头条资讯
