中信证券：AI推动激光器芯片量价齐升 关注国产新机遇

　　中信证券发布研报称，AI计算集群的下一阶段，是从“堆算力”走向“拼网络效率”。激光器芯片是光模块的核心器件，决定光模块的电光转换效率和产品代际。激光器芯片行业将受益于Scale-out/Scale-up网络超节点扩容和技术代际带来的价值量上升，迎来巨大的发展机遇。同时由于市场需求旺盛且产能短期存在刚性，激光器芯片市场正处于快速增长且供需失衡的结构。而头部厂商的优势正不断凸显。看好激光器芯片龙头公司未来的发展潜力。

　　中信证券主要观点如下：

　　激光器芯片是光模块的核心价值组成，CW与EML是高速率下的主导方案

　　激光器芯片是基于III-V族半导体材料实现受激辐射的光源芯片，核心功能是将高速电信号转换为特定波长的光信号。AI数通市场激光器芯片主要分为VCSEL、EML和硅光方案三类，核心驱动力始终围绕“单通道速率提升”与“传输距离延伸”两条主线。

　　在100G及以前时代，数据中心以百米内短距互联为主，VCSEL凭借低功耗、低成本占据主导；进入400G/800G时代，单通道速率跃升至100G以上，VCSEL受限于多横模效应带宽难以突破30GHz量产，同时AI集群互连距离延伸至500m-2km使多模光纤色散约束凸显，VCSEL方案随之退出主力。EML通过DFB+EAM(电吸收调制器)单片集成兼顾高带宽与低啁啾，迅速成为800G/1.6T的主导方案。

　　进入1.6T时代，硅光方案以成熟CMOS工艺将调制器、探测器等集成于单一PIC芯片，封装复杂度和功耗大幅降低，且CW激光器可通过分光实现1分2或1分4复用，直接摊薄整体成本而成为市场主流。1.6T是硅光方案从“可选项”转为“核心主力”的关键拐点，而CW激光器作为硅光方案下的必选项，战略价值正从“配套组件”升格为“核心瓶颈件”。

　　 AI驱动高速激光器芯片市场迎来现象级增长，量价齐升趋势确定性强

　　从需求端看，AI大模型训练与推理需求持续攀升，全球云厂商资本支出显著上修，AI计算集群不断扩大，互联效率已成为集群计算的核心瓶颈。随着集群规模从万卡向十万卡甚至百万卡扩展，单卡对应光模块配比从1:2.5大幅提升至1:5乃至1:12，光模块需求膨胀速度远超GPU数量增长，对应激光器芯片需求大幅提高。与此同时，光互联正加速向传统铜连接的场景渗透，进一步打开增量空间。

　　从供给端看，激光器芯片扩产周期长达18-24个月，当前核心MOCVD设备由美德两家厂商垄断，短期产能存在明显刚性，头部激光器芯片厂商产能已锁定至2027年，部分客户订单能见度甚至达到2028年。

　　据中信证券测算，2026年高速激光器芯片(100G及以上)市场规模有望从2025年的9.3亿美元跃升至约40.6亿美元，同比增长超338%，2027年进一步扩张至约71.0亿美元，两年间累计增长超7倍。其中200G EML供给缺口高达20%，400mW CW激光器缺口达17%，卖方市场格局短期内难以被打破，激光器芯片厂商量增价稳甚至提价预期具备较高能见度。

　　“硅光+CW激光器”方案优势显著，CW激光器国内快速追赶有望实现份额抢占

　　IIM机构《全球及中国CW DFB/EML激光器芯片市场产业链分析报告》(2025年12月)估计，当前全球高速EML芯片市场长期被美日企业主导，前五大供应商市场集中度达70%，Lumentum、Broadcom、住友电工等头部厂商凭借深厚的技术积累和客户生态绑定形成了“强认证、长周期、弱替换”的市场竞争格局。

　　然而在硅光方案加速渗透的趋势下，CW激光器市场格局尚未固化，为国内厂商提供了难得的窗口期。一方面，CW激光器将调制功能解耦后仅需提供稳定光源，制造工艺复杂度相比EML显著降低，无需调制区再生长，参数筛选标准相对宽松，国内厂商有望在较短时间内实现良率追赶和产能突破；另一方面，海外头部厂商受限于自身产能瓶颈，优先将资源分配给毛利更高的EML芯片，在CW激光器领域投入有限且尚未与终端客户形成深度绑定，这为国内厂商切入北美供应链创造了条件。

　　根据各家厂商官网及投资者日志显示，目前国内厂商已陆续实现70mW、100mW CW激光器的量产出货，部分厂商更推出了面向CPO领域的300mW大功率产品，并积极推动北美云厂商客户认证，有望在市场格局尚未固化的关键阶段实现份额的快速抢占。

　　风险因素

　　AI发展不及预期；云厂商资本开支不及预期；单通道400G等新产品进展不及预期；技术路径风险；地缘政治风险。