马斯克评中国存储芯片突破：规模化优势显著

　　10月13日消息，特斯拉CEO埃隆·马斯克今日在社交媒体平台X上发文，就中国制造业的规模化能力及全球存储芯片竞争格局发表了看法。此番言论正值中国存储芯片厂商长鑫存储宣布最新技术突破，并引发美国芯片股集体抛售之际。

　　马斯克在推文中指出，一旦中国攻克某项产品的制造工艺，其规模化能力往往比世界其他地区加起来还要大。例如，在锂电池和太阳能领域我们看到了这一点。

　　谈及航天领域，马斯克将SpaceX描述为“矩阵中的异常值（Anomaly in the Matrix）”。他表示，SpaceX的入轨有效载荷质量大约是世界其他地区总和的一个数量级（约10倍）。但他同时强调，若抛开SpaceX，中国目前占据了全球非SpaceX入轨质量的大部分份额。这显示出在航天发射领域，SpaceX是少数能与中国规模化制造能力抗衡的美国企业。

　　马斯克此番评论的直接背景，是长鑫存储在近期宣布了在4F² DRAM架构上取得关键进展，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5服务器内存产品。相较于目前主流的6F²架构，4F²理论上能将存储密度提升约50%，并降低单位成本。

　　这一技术突破引发了市场对高毛利AI服务器内存市场格局生变的担忧。消息公布后，美股费城半导体指数下跌2.7%，美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）等内存芯片巨头股价领跌。

　　针对存储芯片的未来，马斯克在推文中做了进一步的技术研判。他认为，虽然LP5和LP6等通用内存标准中国正快速攻克，但RAM市场在几年前还只是低利润的大宗商品，局势已发生变化。

　　马斯克指出，更先进的HBM（高带宽内存）架构、在逻辑芯片下方设置SRAM层、以及在逻辑芯片上方进行3D堆叠RAM，同时解决散热问题，将是更难攻克的技术壁垒。