存储三巨头遭集体诉讼：被指借HBM转型合谋操纵DRAM价格，制造“内存末日”

　　6月25日，三星、SK海力士和美光在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼。原告约翰·特里诺代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者和企业，指控这三家全球存储巨头利用市场主导地位，以向HBM（高带宽内存）转型为借口，协同削减DDR3和DDR4等传统内存产量，人为制造供应短缺。

　　核心指控：产能挤压与协同减产

　　诉讼的核心逻辑在于HBM对传统DRAM产能的挤压效应。HBM内存芯片物理尺寸约为标准DDR芯片的两倍，消耗更多晶圆面积。数据显示，2026年HBM预计将占全球DRAM晶圆产能的约25%，且需求正以每年约70%的速度增长。尽管全球DRAM晶圆总产能预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%，这一“剪刀差”直接导致了消费级内存的供应缺口。

　　原告认为，三巨头本有能力同步扩产传统DRAM填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的HBM，形成了事实上的协同减产。这一行动的直接后果是DRAM价格在过去四年中上涨约700%，苹果近期全面上调iPad和Mac售价被视为价格传导的典型案例，并被列入诉讼证据。

　　历史重演与市场展望

　　诉讼还援引了三家公司此前的不良记录。2005年，三星、SK海力士（及尔必达）曾因操纵DRAM价格向美国司法部认罪，共被处以7.31亿美元罚款，多名高管入狱。原告指出，三家公司如今只是将当年的操纵手法换成了“HBM转型”的新包装。

　　展望未来，HBM对传统DRAM产能的吞噬仍将持续，三巨头在HBM领域的寡头地位使其具备主导产能分配的能力，这场诉讼能否改变存储市场的供需格局仍有待观察。