攻克5nm以下制程“卡脖子”难题，华裔科学家达博全职归国加盟中科大

　　据报道，曾主导泛林集团与日本国立材料研究所（NIMS）联合项目、且技术成果已成功应用于台积电日本3nm量产线的杰出科学家达博，近日正式辞去NIMS终身职位，带领团队全职回国，加盟中国科学技术大学担任讲席教授。

　　达博在半导体材料领域造诣深厚。他在NIMS工作期间，仅用一年时间便获得终身教职，刷新了该机构最年轻终身学者的纪录。他在电子束有效利用率问题上的突破性成果，被日本学界评价为“具有与准晶发现相当的原创性意义”，并曾受邀作为唯一外籍学者接受日立财团专访。

　　此前，达博负责的NIMS与泛林集团联合研究项目，聚焦于电子束与刻蚀设备中的关键材料和核心部件。尽管该项目的相关技术已在台积电日本3nm产线上得到应用，但中国大陆半导体制造在5nm以下先进制程所需的核心部件及刻蚀材料等领域，仍面临高度依赖进口的困境。达博团队此次回国，正是瞄准了这一产业链上的薄弱环节，致力于实现技术自主。

　　面对海外的多方邀约，达博均予以拒绝，他明确表示将全力推动中国半导体材料和核心零部件达到世界先进水平。目前，其团队成员已分批先期回国，在合肥参与国镜仪器科技公司的产业化平台建设，加速科研成果落地。

　　达博是甘肃人，以高考状元的身份考入中科大，并完成了本硕博九年的学业。2013年，他赴日从事博士后研究；时隔13年，他选择回到母校，开启科研报国的新征程。