三星开始量产最先进存储设备 采用4纳米控制器 读写速度翻倍

　　快科技7月8日消息，据媒体报道，三星电子已正式启动其最先进数据中心存储设备的大规模量产，这款产品将被应用于英伟达即将推出的Vera Rubin平台。

　　该企业级固态硬盘型号为PM1763，于今年早些时候在英伟达GTC大会上首度亮相。

　　其顺序读取速度峰值可达28.4GB/s，顺序写入最高达21GB/s，整体吞吐性能基本达到PCIe 5.0旗舰级SSD的两倍。容量覆盖4TB至64TB区间，足以满足大规模AI数据集的存储需求。

　　形态规格方面，PM1763提供EDSFF E1.S和E3.S两种尺寸，均完整支持PCIe 6.0带宽；而传统U.2形态则仅能运行于PCIe 5.0，高速信号传输的稳定性会受到一定制约。

　　此前，三星已将该产品与下一代高带宽内存HBM4及低功耗内存模组SOCAMM2共同展示，作为专为AI数据中心打造的综合解决方案之一。

　　三星在声明中指出，PM1763采用最新的V-NAND闪存芯片和新研发的4nm制程控制器，读写性能较前代产品提升逾一倍，有助于显著降低先进处理器和AI加速器的数据访问延迟。

　　散热方面，PM1763直接接入服务器一体化液冷循环回路，与CPU、GPU及内存共用液冷系统，可快速带走主控与闪存芯片持续工作产生的热量。

　　三星官方进一步阐释了液冷方案的核心价值：其意义不仅在于降低硬件温度，更关键的是避免高温引发的性能骤降。

　　AI训练与实时推理均为7 x 24小时不间断的高负载场景，任何一次降速都可能拖慢整组服务器集群的运算效率。液冷所带来的持续稳定性能输出，对算力业务的实际增益远超单纯的节能效果。