长鑫科技IPO注册申请获通过 拟募资295亿元

　　6月13日消息，中国证监会官网显示，证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。

　　长鑫科技成立于2016年，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售。公司现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。

　　咨询机构Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

　　本次IPO长鑫科技拟募集资金总额为295亿元，募资投向包括存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目三大方向。这一融资规模，在科创板历史上仅次于中芯国际（首发募资532亿元），位列第二。

　　此前，有分析机构预测，依托亮眼的盈利基本面叠加存储芯片高景气赛道的估值红利，长鑫科技总市值有望冲击2万亿元至3万亿元区间。

　　根据注册稿披露，长鑫科技在2023年及2024年仍处于巨额亏损状态，归属于母公司所有者的净利润分别为-163.40亿元和-71.45亿元，截至2025年末累计未弥补亏损高达366.5亿元。

　　但到了2025年下半年，随着DRAM行业供需格局剧变，叠加公司产能不断释放，长鑫科技2025全年实现营收617.99亿元，同比增长约156%，归母净利润18.75亿元，提前实现扭亏为盈。

　　进入2026年，长鑫科技业绩迎来史无前例的爆发式增长。一季度营收508亿元，同比大增719.13%，归母净利润高达约248亿元。以一季度计算，其日均盈利高达约3.6亿元。

　　长鑫科技预计，2026年上半年营业收入将达1100亿至1200亿元，归母净利润可达500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。按此推算，全年净利润大概率超过1000亿元。