DRAM提产速度仅能满足市场六成需求，短缺、涨价仍将持续数年

　　4 月 20 日消息，当地时间 4 月 18 日，据日经亚洲报道，内存芯片短缺预计将持续至 2027 年前后。美国和韩国主要厂商正在扩产 DRAM，但提产速度仅能覆盖约 60% 的市场需求。

　　中东局势动荡正在推高电力与原材料成本，进一步增加行业供给前景的不确定性。

　　三星电子计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂，但全面量产预计要到 2027 年或更晚。同时，该工厂还将生产逻辑芯片，一定程度上限制了其内存产能的扩张空间。

　　正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存（HBM），即用于人工智能芯片的高性能 DRAM，但预计要到 2028 年或更晚才会投产。

　　三星内存业务负责人金在俊（注：音译，下同）表示，行业整体产能扩张受到限制，今年至 2027 年的供给增长将较为有限。

　　SK 海力士已于 2 月在清州投产一座 HBM 工厂，这是包括美光的三大厂商中唯一能够在今年带来新增供应的项目。同时，公司正在加快推进龙仁新厂建设，计划在 2027 年 2 月完工，比原计划提前三个月。

　　SK 集团会长崔泰源指出，受晶圆短缺及短期扩产难度限制，AI 内存紧张可能持续至 2030 年。

　　美光计划在 2027 年于美国爱达荷州和新加坡启动 HBM 生产，并将于 5 月在日本广岛建设新厂，目标在 2028 年实现量产。此外，公司已于 1 月决定收购力积电的一座工厂，该工厂产品预计将在 2027 年下半年推出。

　　三星、SK 海力士和美光目前占据全球约 90% 的 DRAM 市场份额，也是几乎唯一具备 HBM 生产能力的厂商。

　　近年来，三家公司将重心转向 HBM，推迟通用内存扩产，导致自 2025 年秋季起供应趋紧。今年第一季度内存价格预计环比上涨约 90%。

　　Counterpoint Research 测算，若要缓解短缺，行业需在 2027 年前实现约 12% 的年产能增长，但现有扩产计划仅为约 7.5%。研究总监黄敏秀表示，供需关系预计要到 2028 年才会恢复正常。

　　在 AI 需求持续增长的背景下，即便新增产能逐步投产，供需紧张是否能迅速缓解仍存在不确定性，因为先进内存工厂提升良率需要时间。

　　当前约 80% 至 90% 的内存芯片用于 PC、智能手机和服务器，其余用于汽车及工业设备。IDC 预计，今年智能手机销量将下降 13%。

　　与此同时，内存在低端智能手机中的成本占比已达约 20%，预计到今年年中将接近 40%。利润空间被压缩后，手机厂商可能减少产量，汽车零部件厂商也面临内存供应不足的问题。