三星、SK海力士和美光存储三巨头疯狂建厂：产能填补AI缺口

　　2 月 20 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（2 月 19 日）发布博文，报道称三星、SK 海力士和美光三大存储巨头为抓住行业“超级周期”，正掀起建厂狂潮。

　　美光在纸面上的投资计划最为庞大。据《华尔街日报》报道，美光计划投入 2000 亿美元（注：现汇率约合 1.38 万亿元人民币）用于新项目，其中包括在美国爱达荷州博伊西建设占地 450 英亩的园区。该园区将拥有全美最大的洁净室，包含两座晶圆厂。

　　基于 60 万平方英尺的洁净室规模估算，博伊西工厂的月产能（WPM）可达 15 万至 20 万片晶圆，这将使美光的全球总产量提升 40%。此外，美光还在纽约州规划投资约 1000 亿美元，计划建设四个洁净室。

　　据《朝鲜日报》报道，SK 海力士位于龙仁的半导体集群项目总投资达 850 亿美元，其首座晶圆厂从原定的 5 月，提前至今年 2 月或 3 月开始试产。

　　三星也调整了平泽 P4 工厂的计划，将完工时间从明年一季度提前至 2026 年第四季度，P4 工厂预计将提供 10 万至 12 万片晶圆的月产能。

　　不过该媒体也指出，由于 AI 产品对 DRAM 的需求，三大存储巨头大幅扩张产能，但普通消费者很难从中受益。原本主要用于消费电子（如手机）的 LPDDR 标准，现在正被英伟达大量用于其机架级 AI 产品中。此外，智能体 AI（Agentic AI）对内存带宽要求极高，促使制造商优先生产 HBM（高带宽内存）和 SOCAMM 模块。因此，新增的产能将主要用于填补 AI 领域的巨大缺口，消费级市场的内存短缺问题在短期内仍将持续。（故渊）