存储现货年内涨超4倍 手机厂库存跌至历史低位：将被迫减配涨价

　　12月8日消息，据财联社报道，存储芯片市场正经历罕见的“超级涨价周期”，DRAM颗粒年内涨幅超4倍、Flash价格翻近3倍。

　　叠加AI服务器需求挤占产能，消费级存储供给持续收缩，下游终端厂商陷入低库存被动补库困境，未来消费电子将出现“价格更高、容量更小”的市场格局。

　　据酷赛智能透露，4GB DDR4x颗粒现货价从年初7美金涨至11月中旬30美金以上，涨幅达4-5倍；64GB eMMC从3.2美金涨至8美金以上，Flash类产品整体涨幅近3倍。

　　11月初闪迪宣布涨价50%，三星部分产品跟进涨价超60%，短时间内大幅涨价超出行业预期。

　　甚至美光宣布终止旗下消费级品牌英睿达的内存与SSD业务，将资源聚焦于AI驱动的高增长数据中心领域，全力冲击高利润AI存储。

　　这也导致目前智能手机厂商存储库存水位普遍在4周以下，远低于8-10周的健康水平。

　　分析机构表示，这并非手机厂商主动去库存，而是因年初需求预期保守未及时补库，且当前现货价格过高、货源紧缺，只能被动接受高价补库。

　　未来手机部分主流配置可能会从12GB+512GB重新转向8GB/12GB+256GB，终结此前存储容量持续翻倍的趋势，同时涨价也是不可避免的选项。

　　小米集团总裁卢伟冰此前在业绩电话会上曾公开表示，内存成本的飙升已经到了“提高手机价格无法完全抵消”的地步，预计明年产品零售价格可能会有较大幅度上涨。（建嘉）