甩开三星！台积电1.4nm工艺进展神速：明年开始风险试产

　　快科技7月18日消息，据媒体报道，台积电在近期的财报电话会议上透露，其1.4nm工艺（A14）的研发进展十分顺利，预计将于2027年启动风险试产，并在2028年实现全面量产。这一时间表进一步巩固了台积电在先进制程领域的领先地位。

　　报道指出，台积电为1.4nm新工艺建造的首座晶圆厂已接近完工状态，试生产工作最早有望在2027年第三季度启动。这将是半导体行业内最先进的工艺制程节点，预计领先三星大约一年时间，后者最快将在2029年量产其1.4nm工艺（即SF1.4）。这一时间差距显示出台积电在制程推进上的明显优势。

　　在技术细节方面，台积电1.4nm工艺采用了第二代GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并引入了全新的NanoFlex Pro标准单元架构。该架构允许设计人员在芯片设计阶段根据特定应用灵活调整晶体管配置，从而在性能、功耗与芯片面积之间实现更优的平衡。

　　性能数据方面，与N2工艺相比，1.4nm工艺在相同功耗条件下性能可提升10%至15%；在相同性能条件下，功耗则可降低25%至30%。此外，逻辑晶体管密度提升约23%，整体芯片密度也提高了约20%，这些提升将为未来高性能芯片提供更加充足的设计空间。

　　不出意外，苹果仍将是率先采用台积电1.4nm工艺的客户。有消息称，苹果A22 Pro将成为行业内首款采用1.4nm工艺的手机芯片。

　　这一布局延续了苹果在先进制程上的激进策略，此前苹果曾多次首发台积电的最新工艺，例如A17 Pro率先采用台积电3nm工艺，领先竞争对手高通和联发科一年时间。因此，1.4nm工艺的首发权大概率仍将由苹果牢牢锁定。